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簡要描述：RAD硬光纖：十多年來，我們在輻射環(huán)境（如核電站、高能物理實驗室、核廢料儲存庫，甚至進入太空）中的光纖設(shè)計方面開發(fā)了特殊的技術(shù)。我們開發(fā)并維護一條全面的光纖產(chǎn)品線，旨在滿足許多此類應(yīng)用。我們的光纖可用于數(shù)據(jù)傳輸、傳感或?qū)嶒灡O(jiān)測。
產(chǎn)品品牌：其他品牌廠商性質(zhì)：代理商更新時間：2024-06-20訪 問 量：665詳細(xì)介紹
| 品牌 | 其他品牌 | 應(yīng)用領(lǐng)域 | 綜合 |
|---|
用于惡劣環(huán)境的涂料
RAD硬光纖：十多年來，我們在輻射環(huán)境（如核電站、高能物理實驗室、核廢料儲存庫，甚至進入太空）中的光纖設(shè)計方面開發(fā)了特殊的技術(shù)。我們開發(fā)并維護一條全面的光纖產(chǎn)品線，旨在滿足許多此類應(yīng)用。我們的光纖可用于數(shù)據(jù)傳輸、傳感或?qū)嶒灡O(jiān)測。
更多的光纖有現(xiàn)貨供應(yīng)，而且我們有能力根據(jù)您的具體應(yīng)用定制設(shè)計您的光纖。如果您有具體的技術(shù)要求，請隨時與我們聯(lián)系。
RAD硬光纖關(guān)鍵特征
l低輻射感生衰減
l低彎曲損耗
l適用于每種輻射環(huán)境的化學(xué)核心組合物
l適用于惡劣環(huán)境的多種涂料選擇
l出色的機械保護
應(yīng)用覆蓋
l 核環(huán)境
l 高能物理
l 空間
主要規(guī)格
低輻射水平
產(chǎn)品名稱 | 纖芯數(shù)值孔徑 | 衰減@ 1550 nm (dB/km) | 截止波長(nm) | 模場直徑@ 1550 nm (μm) | 包層直徑 (μm) | 涂層直徑(μm) | 工作溫度范圍(°C) | 涂層材料 |
IXF-SM-1550-80-019-PI | 0.19 | < 2 | < 1450 | 6.6 ± 1 | 80 ± 1 | 110 ± 5 | -60 / +300 | Polyimide |
IXF-SM-1550-80-024-PI | 0.24 | < 1.5 | < 1450 | 5.3 ± 0.5 | 80 ± 1 | 110 ± 5 | -60 / +300 | Polyimide |
IXF-SM-1550-125-012-PI | 0.12 | < 0.5 | < 1350 | 10.4 ± 0.5 | 125 ± 1 | 155 ± 5 | -60 / +300 | Polyimide |
IXF-SM-1550-125-014-PI | 0.14 | < 0.4 | < 1275 | 8.5 ± 0.5 | 125 ± 1 | 155 +/-5 | -60 / +300 | Polyimide |
IXF-SM-1550-125-028-PI | 0.28 | < 5.0 | < 1350 | 4.5 ± 0.5 | 125 ± 1 | 155 ± 5 | -60 / +300 | Polyimide |
IXF-SM-1550-125-014-HT | 0.14 | < 0.4 | < 1275 | 8.5 ± 0.5 | 125 ± 1 | 245 ± 15 | -60 / +150 | Acrylate |
其他產(chǎn)品規(guī)格
l對于20 kGy（γ射線），1550 nm處的輻射誘導(dǎo)衰減（dB/km）：~25
l驗證試驗等級（KPSI）：100
高輻射水平
產(chǎn)品名稱 | 纖芯數(shù)值孔徑 | 衰減@ 1550 nm (dB/km) | 截止波長(nm) | 外包層直徑 (μm) | 涂層直徑(μm) | 工作溫度范圍(°C) | 涂層材料 |
IXF-RAD-SM-1550-014-HT | 0.14 | < 0.6 | < 1450 | 125 ± 2 | 245 ± 15 | -60 / +150 | Acrylate |
IXF-RAD-SM-1550-014-PI | 0.14 | < 0.6 | < 1450 | 125 ± 2 | 155 ± 5 | -60 / +300 | Polyimide |
IXF-RAD-SM-1550-0.14-AL | 0.14 | < 20 | < 1450 | 125 ± 2 | 165 ± 15 | Up to 400* | Aluminum |
XF-MMF-105-125-0.22-RAD | 0.22 |
| - | - | 245 ± 15 | - | - |
*高溫鋁涂層
其他產(chǎn)品規(guī)格
l模場直徑@1550 nm（μm）：9+/-1
l纖芯/包層偏移（μm）：<1
l芯材：純硅
l1 mGy（γ射線）在1550 nm處的輻射誘導(dǎo)衰減（dB/km）：~25
l驗證試驗等級（KSPI）：100
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